反応生成物対策への要件

反応生成物が堆積するような装置では、装置内部に堆積・固着する反応生成物への対策が、課題となっています。 そのため、真空ポンプも、反応生成物堆積の大幅な削減、ポンプ寿命の長期化、メンテナンスサイクルの延長などが要求されています。

用 途

  • ■ 半導体、LCD、MEMS製造などのエッチング装置
  • ■ 反応生成物が発生しやすいプロセス装置

従来の反応生成物対策

対象部位を含めた周囲全体をヒーティングする方法

  • ■ 熱が分散する。/有効利用できない。
  • ■ 対象部位外への熱影響。

TG-MIシリーズによる対策

外部ヒータによる昇温に加え、ポンプ内部で発生する吸引ガスとの摩擦熱を有効利用して、接ガス部を効率よく昇温

  • ■ 外部ヒータの出力を抑えることができ、省エネ効果が向上!!
  • ■ 主要部位への熱影響をおさえ、ポンプへのダメージを低減。
  • ■ 排気配管にも断熱材を採用。最適な温度を維持し、排気配管内の生成物発生を防止。

断熱形構造(断面図)


仕 様

  TG390MI TG420MI TG900MI TG1300MI TG2400MI
吸気口フランジ
VG100 VG150 VG150 VG200 VG250
ISO-B100 ISO-B160 ISO-B160 ISO-B200 ISO-B250
排気速度(L/s)
N2
340 400 900 1300 2400
(保護金網付)N2
320 370 860 1230 2300
 H2
290 300 1050 1200 1100
最大圧縮比
N2
1×108
H2
4.5×103 1.5×104 8.3×102
到達圧力
 (Pa)
< 1×10-6
 (Torr)
< 7.5×10-9
最大ガス流量※1 (sccm)
N2
1000 3000
起動時間 (min)
2-3 4-5
停止時間 (min)
4-5
許容補助圧力
(Pa)
350 500 150
(Torr)
2.6 3.8 1.1
推奨補助ポンプ (L/min)
≧160 ≧250 ≧500
質量 (kg) 
18 42 56
ターボコントローラ型式
TC010MAT
  • ※1:補助ポンプ容量を320L/min(TG390/420MI)、1000L/min(TG900/1300/2400MI)とした場合の許容最大流量。

  TGkine2200MI TGkine3300MI
/TGkine3400MI
TGkine4200MI
吸気口フランジ
ISO-B250 ISO-B320/VG300/VG350 VG350
排気速度(L/s)
N2
2200 3300 4200
(保護金網付)N2
2100 3100 4000
 H2
1800 2700 2800
最大圧縮比
N2
> 2×108 > 1×108 2×108
H2
3×103 2×103
到達圧力
 (Pa)
< 2×10-7 < 5×10-7
 (Torr)
1.5×10-9 3.8×10-9
最大ガス流量※1 (sccm)
N2
5000 2500
Ar
2600 1800 1400
起動時間 (min)
≦10 ≦11 ≦12
停止時間 (min)
≦10 ≦13 ≦14
許容補助圧力
(Pa)
100 100/110 100
(Torr)
0.75 0.75/0.82 0.75
推奨補助ポンプ (L/min)
≧2000
質量 (kg) 
65 73/74/76 75